1. 英特尔
宣布分拆显卡业务部门(AXG)，其中一部分专注于高性能计算，另一部分专注于游戏市场，负责人Raja Koduri将重回首席架构师职位
从产品路线规划上看，英特尔于22年一季度发布第一代Alchemist产品，并于10月开始销售，此前公司预估2022年全年显卡销量将达400万。分拆后，英特尔仍将延续现有ARC消费级独立显卡规划路线， 致力于推出第二代Battlemage、第三代Celestial 等游戏GPU产品
2. AMD
针对赛灵思FPGA产品向客户发布涨价函，考虑供应成本增加及当前供求关系等因素，拟自2023年1月9日起调整赛灵思FPGA产品价格，其中Spartan6系列(48nm)涨价25%，Versal系列(7nm)价格保持不变，其他系列产品涨价8%
产品交期方面，AMD预估UltraScale+系列(16nm)、UltraScale系列(20nm)和Spartan7系列(28nm)交期将延迟至20周，并持续至23年二季度，而Spartan6和Versal系列产品交期维持不变
考虑到赛灵思28nm 7系列器件持续受欢迎，延长Spartan7系列产品生命周期至2035年，此前预期至2025年
3. 三星电子
成功开发首款12nm工艺16GB DDR5 DRAM产品，并与AMD一起完成兼容性方面产品评估，预计将于2023年实现量产
该产品使用先进多层极紫外光刻(EUV)技术，拥有公司最高DDR5 Die密度，晶圆生产率提升20%，较上一代DRAM产品可降低约23%功耗，将为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域提供更可持续运营基础
三星将提高京畿道华城13号产线(L13)中CIS设备比例，将部分产线从存储器生产转为CMOS影像传感器(CIS)生产
华城L13主要为18nm存储器产品产线，月产能达9.5万片/月，此次改产CIS产品主要为调节DRAM供应量以应对市场需求变化
美国工厂方面，德克萨斯州泰勒建厂的税收激励申请，已经获得批准，三星方面将因此获得48亿美元的税收激励
计划在2024年下半年投入运营，目前已开始订购这一工厂洁净室所需的设备，部分在2024年1月开始交付
韩国工厂方面，将进一步扩大DRAM和晶圆代工的晶圆产能，将至少增加10台EUV设备，预计平泽的P3晶圆厂将扩产至每月生产 7万片12英寸晶圆，且将生产业界最先进的12纳米的DDR5，主要向数据中心和人工智能等客户供货
4. 美光科技
单季度实现营收40.85亿美元，同比下滑46.9%，环比下滑38.5%，低于彭博一致预期的42.59亿美元
毛利率为22.9%，低于前期指引中位数(26%)
分产品来看，DRAM产品收入28.29亿美元(占比69%)，出货量及ASP均出现下滑，其中位元出货量环比约下降24%-26%，ASP 环比约下降21%-23%
NAND产品收入11.03亿美元(占比27%)，位元出货量环比下降约14%-16%，ASP环比下降约21%-23%，主要系终端市场需求持续疲软，下游客户仍处库存调整阶段
库存周转天数环比上升93天至214天，预期将进一步提升达到顶峰
削减2023财年资本支出至70-75亿美元(此前计划为80亿美元)，同比降幅达38-42%，设备支出同比下降超50%
5. SK海力士
开发DDR5多路合并阵列双列直插内存模组(MCR DIMM)样品，其最低数据传输速率达8Gbps，较之前DDR5产品4.8Gbps速率提高67%，为业界目前最快服务器DRAM产品
该产品以英特尔MCR技术为基础，利用安装在MCR DIMM上的数据缓冲器同时运行两个内存列，每次可向CPU传输128个字节数据，推动数据传输速度提高至8Gbps以上，为单个DRAM两倍
该产品推出彰显DDR5技术取得长足进步
6. 西部数据
召开2022年“数据存储，赋能智驾未来”汽车技术论坛，并推出两款车规级存储产品iNAND EU321/EM132
其中EU321为第一代车规级UFS EFD产品，使用96层3D NAND技术与iNAND SmartSLC 5.1架构，容量为16GB-256GB，读取速度最高可达800MB/s，写入速度最高可达550MB/s，随机读写IOPS达到50/52K
EM132为车规级嵌入式eMMC存储设备，使用64层BiCS3 3D TLC NAND闪存打造，容量为16GB-256GB，读速高达310MB/s
西部数据持续扩充e.MMC、UFS、microSD、SSD及HDD等全线存储产品布局，积极满足单车智能与网联赋能创新融合下的车路云一体化发展需求
7. 高通
推出最新“高通Wi-Fi 7沉浸式家庭联网平台”方案和“QCX216 LTE物联网调制解调器”，赋能快速、强大、高性能的全新一代物联网解决方案
推出Snapdragon Ride Flex，行业首款同时支持数字座舱和ADAS的可扩展系列SoC，赋能高度可扩展且安全的驾驶辅助和自动驾驶体验
高通的Snapdragon Ride第一代已实现商用，下一代Snapdragon Ride平台和集成式Snapdragon Ride视觉软件栈已面向主要汽车一级供应商出样，预计2025年量产
希望2023年减少在更成熟的业务领域的支出，并将这些资源和资金重新分配给汽车和物联网，并对某些职能部门进行了选择性裁员。在裁员的同时，还放慢了招聘的步伐
8. 联发科
发布天玑8200 5G移动芯片，采用台积电先进的4nm制程，八核CPU架构包含4个Cortex-A78大核，搭载Mali-G610六核GPU，主频最高达到3.1GHz
发布Genio700物联网八核芯片组，采用6nm工艺，预计2023年二季度实现商用
9. Qorvo
将在CES上展示其最新的物联网(IoT)，智能家居，5G，Wi-Fi，超宽带(UWB)，传感器和电源产品，可为消费电子、通信、宽带和汽车/电动汽车等广泛应用提供更多的数据容量、始终在线的可靠性和低延迟
将在CES上展示基于超宽带(UWB)的室内导航演示，该导航系统提供了高度精确的设备网络，用于定位GPS和其他卫星技术无法涉足的多层建筑，停车场和地下等特殊位置
10. Skyworks
推出了业界效率最高的Wi-Fi前端模块(FEM)产品组合，可满足下一代企业和物联网产品中Wi-Fi 6/6E设备在功率、性能和散热方面的要求
Skyworks与Broadcom合作，将使Skyworks ICETM FEM在处理速度，延迟和系统级电源效率方面产生实质性的改进
11. 英飞凌
推出业界首款PFC和混合反激二合一IC，可提高基于GaN的USB-C EPR适配器与充电器的性能
将未来几年的营收预估成长率从9%上调至10%
拟投资数十亿欧元收购新公司，用以在功率半导体、传感器、软件以及人工智能等多个领域扩大其产品组合
12. 安森美
车用芯片供不应求预计大幅扩产，最新EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效
根据DIGITIMES 12月21日消息，全球车用芯片市场的需求强劲，芯片厂商供不应求，CEO表示，旗下碳化硅芯片产品在2023 年底以前的库存都已销售一空，正在扩产当中，预计2023年产能将大幅增加30%
在美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示其碳化硅系列EliteSiC的3款新产品
一款1700 V EliteSiC MOSFET，最大Vgs范围为-15V/25V，拥有更高的击穿电压
两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管，能够在高温高压下稳定运行、并由SiC赋能更高能效
EliteSiC系列碳化硅(SiC)功率模块已被起亚(Kia Corporation)选中用于EV6 GT车型，该模块实现了高效电根据安源转换，并使电动车的续航里程增加了5%
13. 意法半导体
推出100W无线充电器接收芯片，新型STWLC99器件可在30分钟内将一部电池容量最大的高端智能手机充满电，刷新市场记录
Jean-Marc Chery等意法半导体高管于11月访华，与长安汽车、赛力斯汽车、宁德时代、固德威、威迈斯新能源、埃泰克汽车电子等客户深入交流，并实地考察了国产新能源汽车品牌赛力斯汽车和龙头车企长安汽车，中国区总裁表示，此次拜访表明公司对高速增长的中国汽车和工业市场充满信心
意法半导体汽车和分立器件产品部Luca Sarica表示，软件定义电动汽车中用到的半导体器件单车总价值在1500至2000美元之间，是传统汽车半导体单车的3-4倍。官方称，将持续加强汽车领域投入，提高碳化硅和FD-SOI工艺的制造能力
14. 罗姆
开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET，长度1毫米，宽0.6毫米，功耗降低20%，可帮助提高无线耳机和可穿戴设备等轻薄小型设备的效率和运行安全性
采用自有的电路和器件技术TDACCTM开发出有助于安全工作和减少功率损耗的小型智能功率器件，通过替代机械继电器和 MOSFET实现汽车和工业设备市场所需的功能安全
第4代SiC MOSFET成功应用于日立安斯泰莫的纯电动汽车逆变器，从2025年起将向全球电动汽车供货，助力延长续航里程和系统的小型化
15. Wolfspeed
与一家全球领先的半导体企业延长碳化硅晶圆供应协议，目前协议价值约2.25亿美元。Wolfspeed将为该公司提供150毫米碳化硅晶圆和外延片，助力该企业从硅基半导体功率器件向碳化硅转型
CEO表示，从内燃机转向电动车的产业趋势将不会停止，功率半导体尤其是SiC市场将在2022年至2030年以14%的CAGR高速发展
将为奔驰未来的电动车平台供应SiC器件，产品将集成在奔驰几条电动车产线的下一代动力系统中，助力提升系统效率。相应的 SiC功率器件将在北卡罗来纳州达勒姆工厂及纽约马西莫霍克谷8英寸工厂生产
16. 德州仪器
位于犹他州Lehi的最新12吋晶圆厂LFAB于12月22日开始量产，早于原先预估的23年初，这是TI2022年投入量产的第二家12 吋晶圆厂
LFAB支持65及45纳米技术，全面投产后每天将制造数千万颗芯片
计划后续对Lehi晶圆厂总投资额将达到30亿~40亿美元，将生产各类嵌入式处理芯片，主要满足再生能源、电动车及太空望远镜等需求
为维持新厂稼动率，TI进行价格调整，市调机构集邦科技表示2023年上半年整体消费电子供应链持续进行去库存化，预期所有厂商仍将面临产品订价方面的压力
17. 台积电
4纳米方面，亚利桑那州的第一个晶圆厂计划于2024年开始生产
3纳米方面，12月29日在新竹晶圆18厂开展举行3纳米量产暨扩厂典礼，董事长于典礼上表示，目前3纳米制程良率已与5纳米量产同期相当，预计从3纳米制程量产首年开始，每年带来的收入都会大于同期的5纳米
计划于美国亚利桑那州开启建设第二个晶圆厂，计划于2026年开始生产3纳米工艺技术
1纳米方面，新厂将落地竹科桃园龙潭，目标2026年中开始动土，最快2027年试产，2028年量产，届时台积电海外厂区最先进制程为3纳米，而1纳米制程将留在台湾本土
18. 阿斯麦
投资者会议上宣布2025年至2026年的年产能将提高到90台EUV光刻系统和600台DUV光刻系统，同时2027年至2028年High-NA EUV系统的产能也将提高到20台
到22年底，ASML预计供货EUV光刻设备达180台，备受瞩目的High-NA EUV的初期版本预计将于23年底推出，并于2025年底正式商用
将扩大在台湾地区的投资，台湾地区新工厂预计将在23年7月动工，一期投资将达到300亿新台币(约合人民币68.8亿元)，是该公司在当地的最大投资，并计划把欧洲供应链带到台湾地区
19. 泛林半导体
计划将更多业务迁出中国，被迫缩减在华业务停止向中国客户发货，并开始在中国区裁员约10%。受美国出口限制新规影响，其2023年总营收或将减少20亿-25亿美元
已从Gruenwald Equity和其他投资者手中收购全球湿法加工半导体设备供应商SEMSYSCO GmbH
随着SEMSYSCO的加入，泛林集团获得的先进封装能力是高性能计算(HPC)、人工智能(AI)和其他数据密集型应用的前沿逻辑芯片和基于小芯片的理想解决方案
20. 盛美半导体
盛美上海推出了一款拥有自主知识产权的Ultra Pmax TM等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备，拓展了一个重要的全新产品分类，预计将在几周内向中国的一家集成电路客户交付其首台PECVD设备
首台具有自主知识产权的涂胶显影Track设备Ultra LITH于22年12月成功出机，顺利向中国国内客户交付首台前道ArF工艺涂胶显影Track设备，该设备由盛美半导体设备(亚太)制造中心完成出货，提升在涂胶和显影领域内专业技术
原文链接：https://m.163.com/dy/article/HRCOK3I305532RZ6.html
