原标题：带你深入了解固态硬盘中的闪存颗粒

SSD主要由主控芯片和NAND闪存组成，主控芯片负责传输，NAND闪存负责存储。NAND闪存中包含了无数个存储单元，主控芯片可以直接定位到存储单元中的数据，这也是SSD速度快的主要原因。NAND闪存到目前为止有SLC、MLC、TLC、QLC这几种类别。我们这篇主要讲下闪存颗粒比较重要的几个话题：寿命相关、速度相关、容量相关。

寿命相关

NAND(闪存颗粒)存储单元二进制表

数据信息是由二进制0和1组成的，0和1是通过电压变化来表示的。

SLC闪存每个存储单元包含1bit 用两种电压变化

MLC闪存中的存储单元包含2bit 用4种电压变化来表示

TLC闪存中的存储单元包含了3Bit 用8种电压变化来表示

QLC闪存中的存储单元包含了4Bit 用16种电压变化来表示

随着数据写入与修改的不断增多，改变电压变化的次数也会增多。任何东西用的次数多了都会产生损耗，无外乎电子产品。单个存储单元下使用频繁排序，QLC>TLC>MLC>SLC。那么寿命的排序则是：SLC>MLC>TLC>QLC。

速度相关

NAND(闪存颗粒)存储单元占用Bit表

闪存颗粒由N个存储单元组成来存储数据。而存储单元读写由主控来进行分配。

SLC闪存每个存储单元包含1bit

MLC闪存中的存储单元包含2bit

TLC闪存中的存储单元包含了3Bit

QLC闪存中的存储单元包含了4Bit

从上面存储单元包含的Bit,我们发现单个存储单元存储的东西越来越多。那么主控来管理这些存储单元的效率会越来越低，这也是不同的闪存颗粒速度不同的原因。

容量相关

固态盘以速度快的优点进入市场慢慢地普及开来，硬盘容量也从原来的60G、120G、240G……到现在的500G、1T、2TB……其实这个硬盘容量不断变大的过程也是闪存颗粒改革的过程。闪存颗粒单个存储单元分配的数据越多，那么硬盘的容量越大，从SLC存储单元1Bit到MLC存储单元2Bit再到TLC存储单元3Bit以及QLC存储单元4Bit，然后再到现在的3D闪存颗粒,也叫3DNAND。如果NAND(闪存颗粒)是平房，那么3DNAND就是一座楼。3DNAND常见的是3d TLC和3D QLC。这样的堆叠确实解决了大容量的问题，但同时也引出了一个发热高的问题，随着芯片厂商的不断努力相信这个问题会在不久的将来解决。

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