「闪存颗粒」常见的四种闪存颗粒有什么区别?

固态硬盘(SSD)主要由主控芯片和NAND闪存组成,主控芯片负责传输,NAND闪存负责存储,NAND闪存中包含了无数个存储单元,主控芯片可以直接定位到存储单元中的数据,这也是SSD速度快的主要原因,而固态硬盘的闪存颗粒,它就是固态硬盘专门负责存储数据的部分,目前为止有SLC、MLC、TLC、QLC这四种类别,性能从高到低排序,分别为SLC>MLC>TLC=QLC,SLC不论在速度上还是颗粒寿命上都是这几个里面最优的,但目前出于成本的原因,也由于现在的技术越来越成熟,目前主流的固态硬盘的颗粒,大多还是TLC和QLC,现在市面上定位中高端的固态硬盘往往都是TLC颗粒的,低端则大多为QLC颗粒。

首先这四种颗粒类型的主要区别就是层数不同,SLC全称为Single-Level Cell,也就是单层存储单元,一单位空间(cell)可以存储1bit数据,也就是1bit/cell,单颗粒理论擦写次数在10万次以上,这代表的就是如果你有一块SLC颗粒的固态硬盘,那理论上你可以写满这块硬盘10万次,它才会坏,但它的问题就是存储成本高。

MLC颗粒全称为Multi-Level Cell,也就是双层存储单元,而它就达到了2bit/cell,相较于SLC,它的存储成本更低,但在寿命上,也降低了很多,单颗粒理论擦写次数在3000-5000次左右。

TLC颗粒也是目前主流定位高端的固态硬盘大多采用的颗粒类型,它的全称为Trinary-Level Cell,也就是三层存储单元,顾名思义,它可以达到3bit/cell,数据存储成本更低,容量是SLC的3倍、MLC的1.5倍。而它的寿命也更低,单颗粒理论擦写次数在500-3000次。

QLC颗粒目前绝大部分定位低端的固态硬盘都采用的这个颗粒类型,它的全称为Quad-Level Cell,也就是四层存储单元,它为4bit/cell,所以存储成本也是这些颗粒类型里最低的,而它的单颗粒理论擦写次数仅为100-300次左右。

目前固态用的最多的是TLC颗粒的固态硬盘成本低性价比高,当然写这篇文章是想让小伙伴们了解固态硬盘的组成结构和颗粒的区别,以便大家在购买固态硬盘时更好的进行判断和选择,目前主要的闪存颗粒生厂商分别为闪迪、镁光、英特尔、海力士、三星,各家官方数据都无明显短板,市场稳定性体验排比大致为三星>镁光>因特尔>海力士>闪迪,工业级SSD一般首选三星、镁光,其他颗粒因为价格低,用在消费级SSD的比较多,我是仲辉,关注我让你少走弯路。

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