储存颗粒决定产品成本
所谓“固态硬盘”名称的由来，也是源于闪存颗粒远优于传统机械硬盘中机械磁盘的坚固牢靠等特点。
可以说，固态硬盘的出现和大发展，大部分要归功于闪存技术的发展和革新，因而固态硬盘内部的绝大部分成本，或者说储存产品内部的绝大部分成本都取决于储存颗粒。
闪存颗粒的技术和发展现状
由于闪存颗粒在当代对于储存产品的重要性，根据其内部电子结构不一样，全球闪存产品主要有三种，SLC（单层次储存单元）、MLC（双层储存单元）以及TLC(三层储存单元)，此三种储存单元在寿命以及造价上有着显著的分别。
除此之外，近年来部分储存巨头，甚至已经在研究拥有四层储存单元、更高的储存密度的QLC闪存颗粒。
当然，除了在平面上进行单个晶圆内部的储存容量的研究外，更加成熟、更加激进的研究方向其实是在3D立体储存容量上的革新，即3D NAND闪存技术。
所谓3D NAND闪存技术，其实就是在原本只有两个方向即平面上进行颗粒排列的晶圆上，通过技术手段，进行颗粒的叠加，即在垂直方向上进行多个颗粒的堆叠，以实现单个晶圆的储存容量的大规模提升。
可以简单理解为，2D NAND技术就如同在一片空地上建造平房，但是空地面积是有限，超过空地总面积，也无法建造新的平房，而这些平房就可以理解为储存空间。
相对应的3D NAND技术就像是同一片空地上建造楼房，理论上可以无限延伸内部空间，即使空地面积完全建完，也可以通过提升楼房的高度，创造新的空间。
如今，闪存行业，比较成熟和性价比高的技术依旧是64层3D NAND技术，在今年年底72层3D NAND技术应该可以实现较大的突破，甚至实现大规模量产，更有甚者部分领军企业已经在研究96层以及更高堆叠层数的3D NAND颗粒了。
储存产品涨价的内外因分析
在了解了相当多的闪存知识之后，我们可以再回过头来，一起聊聊储存产品为何会出现如此的暴涨。
核心原因，以闪存颗粒为代表的原材料缺货，这里不单提闪存颗粒，是因为内存等产品其实是DARM颗粒的缺货，以免引发争议，其实本质上二者的原料和工艺相差不大。
那么闪存颗粒等原材料为何缺货呢？闪存颗粒等原材料（包括内存DARM颗粒）的原因，主要有两个，也可以说是两方面。一方面是内因，另一个是外因。
内因是，晶圆技术不够成熟，良品率不高，导致供不应求。
以闪存颗粒技术为例，在去年三季度固态硬盘价格疯涨最厉害的时间段，Toshiba、三星等主要闪存厂商都在加紧研究64层3D NAND技术，可不幸的是研究的结果不容乐观，良品率相当低下；
不仅不能按照原计划上市基于64层3D NAND技术的全新固态产品，而且原有的48层3D NAND产品线也为了给64层3D NAND产品线让道而无法继续再生产，导致固态硬盘产品在去年三季度价格暴涨，直到今年年中64层3D NAND产品线的成熟才勉强涨停。
外因则是，手机等产品线对于大容量储存颗粒的旺盛需要，以及手机厂商极大地利润率带来的高议价能力，让主流的晶圆厂商更加乐意为手机等新兴产品线提供原材料以及储存颗粒，相对应的分配给传统储存厂商的原材料及储存颗粒的大幅减少，自然而然的导致成品的缺货，价格大涨。
暴涨后必然回归正常
在内因和外因的双重影响下，储存产品价格的疯狂上涨也是可以理解的。那么，这种疯狂上涨是否会一直连续下去呢？
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